产品介绍

真空共晶回流焊 半导体真空回流焊 共晶回流炉

真空共晶回焊炉适用范围:

1、功率半导体封装(IGBT、晶闸管、MOSFET等)

2、MEMS封装

3、大功率器件封装焊接、激光半导体真空封装

4、芯片真空焊接(芯片与基板、盖板与管壳)

5、气密性封装及材料试验等

真空共晶回焊炉HSM 系列特点:

1、HSM系列半导体真空回流焊以进口平台，精心打造，具有自主知识产权，打破国际封锁和垄断的半导体焊真空焊接设备，产品针对SOPSOT、DIP、QFN、QFP、BGA、IGBT、TO、MINI LED 等真空芯片封装焊接。

2、2、HSM系列半导体真空回流焊采用工控嵌入式控制系统，系统采用双CPU运算，可以脱离电脑(电脑死机)独立运行

不仅稳定可靠而且温度控制更加精确。

3、针对客户产品提供可更换加热模块，有效解决温差导致炸锡现象。

4、分步抽真空设计，最多可分5步抽真空

5、最大真空度可以达到 0.1KPa，Void Sinale<0.5%，Total<1%。最快循环时间 25s /per cycle、真空回流焊行业效率最高

6、热机时间约30min

7、完美四配ASM及国内DB设备

8、独家zhuanli的Fux锡育自动回收系统，减少设备维护和清理

9、设备支持关键焊接参数的配方功能、支持MES远程数据读取。

10、智能氨气监测和控制系统，不但节约保护气体，而且氧气含量更低.

11、zhuanli密封圈水冷结构，不仅寿命更长，使用成本更低，而且减少了密封不良造成的昂贵的产品损坏。

zhuanli模块加热结构、温度控制更加精准、行业温控温差最小、焊接效果更好进料升降高度和运输采用步进伺服无极调速，可以匹配不同产品的生产需求完美的保护气体加注与废气回收结构，让炉内保护气体更加均匀，炉膛更加清洁进料采用无尘滚轮+进料矫正机构和预热区完美结合，可以实现产品准确移动到加热器中央独立氮氢混合气体注入系统实现预热区注入氨气、焊接区注入氨氢混合气体，不仅更加节约而且保护效果更佳zhuanli收料保护机构，当料框变形收料卡板时，自动转存到备用料框，不仅不会耽误生产，还能防止产品在炉内损坏

共晶回流炉基本参数

设备型号：HTC-612D HTC-613D

设备尺寸(mm)：L6300*D1450*H1560 L6300*D1450*H1560

机器重量 ：APPROX:3000KG APPROX:3100KG

加热区数量 ：上6个下6个 上6个下6个

冷却区数量：上2个下2个 4个冷却区 上3个下3个 6个冷却区

冷却方式 强制冰冷 强制冰冷

排风要求：10m3/H*2 10m3/H*2

空洞率： APPROX:1%-2% APPROX:1%-2%

控制系统

电源要求：3P 380V 50/60Hz 3P 380V 50/60Hz

总功率 ：60KW 64KW

分段启动功率： 35KW 35KW

消耗功率： APPROX:12KW-18KW APPROX:13KW-18KW

热风机调速 娈频无极调速 变频无极调速

升温时间 ：APPROX:30min APPROX:30min

温度控制范围 ：室温~400°C可设置 室温~400℃C可设置

生产配方 可储存多组合生产配方 可储存多组合生产配方

运输系统

轨道对数：单轨 单轨

轨道结构 ：3段组合结构 3段组合结构

载具尺寸(mm)：L330*D250 L330*D250

运输带高度(mm)：900±20 900±20

运输方式：等距推板、等距推板

真空系统

低真空压力：0.1Kpa 0.1Kpa

真空泵流量 ：APPROX:1000L/min APPROX:1000L/min

泄压时间 ：≤10s ≤10s

生产效率 ：≥40s 240s

选配氮气系统

氮气结构 全程/局部充氮 全程/局部充氮

氮气系统 ：自动或手动可切换 自动或手动可切换

氮气消耗量 ：APPROX:300-500L/min APPROX:300-500L/min